半导体激光刻蚀机
文献类型：专利
| 作者 | 李博宇; 刘立文; 郭坤铎; 马国东; 周志伟; 尹建刚; 曾威; 高云峰 |
| 发表日期 | 2017-06-27 |
| 专利号 | CN304188505S |
| 著作权人 | 大族激光科技产业集团股份有限公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 外观设计 |
| 其他题名 | 半导体激光刻蚀机 |
| 英文摘要 | 本外观设计产品的名称：半导体激光刻蚀机。 2．本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于对硅晶圆进行激光加工。 3．本外观设计产品的设计要点：在于整体形状构造、色彩及其结合。 4．最能表明本外观设计设计要点的图片或照片：立体图。 5．省略视图：本外观设计产品的仰视图不常见且无设计要点，故省略。 6．请求保护的外观设计包含色彩。 |
| 公开日期 | 2017-06-27 |
| 申请日期 | 2016-10-28 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/50211]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 大族激光科技产业集团股份有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李博宇,刘立文,郭坤铎,等. 半导体激光刻蚀机. CN304188505S. 2017-06-27. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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