碳纳米管阵列的制备方法
文献类型：专利
| 作者 | 陈卓; 罗春香; 姜开利; 范守善 |
| 发表日期 | 2010-09-29 |
| 专利号 | CN101209833B |
| 著作权人 | 清华大学 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 碳纳米管阵列的制备方法 |
| 英文摘要 | 一种碳纳米管阵列的制备方法，其包括以下步骤：提供一基底；在上述基底一表面形成一催化剂层；通入碳源气与载气的混合气体流经上述催化剂层表面；以及提供一半导体激光器系统发出激光束聚焦照射在上述基底上从而生长碳纳米管阵列。 |
| 公开日期 | 2010-09-29 |
| 申请日期 | 2006-12-27 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/50228]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 清华大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 陈卓,罗春香,姜开利,等. 碳纳米管阵列的制备方法. CN101209833B. 2010-09-29. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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