光学记录中作为相变媒质的Ⅲ族金属氮化物薄膜
文献类型：专利
| 作者 | 小N・A・博亚株克; S・古哈; 邓伟松; A・古普塔 |
| 发表日期 | 2005-10-12 |
| 专利号 | CN1222940C |
| 著作权人 | 联发科技股份有限公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 光学记录中作为相变媒质的Ⅲ族金属氮化物薄膜 |
| 英文摘要 | 本发明提供了基于III族金属氮化物半导体的用于光学存储的相变媒质。这些宽禁带半导体薄膜的表面通过用光子照射而金属化(通过脱氮)。结果，这些材料成为写一次读多次的存储媒质，因为金属与相应的宽禁带氮化物之间的反射率差异非常大。此外，一旦完成脱氮，写操作之后的金属相就不能够恢复到氮化物相，因此媒质是稳定的并真正是写一次系统。其它优点包括高反射率对比度和适于使用短波长激光二极管(460nm及更短)。 |
| 公开日期 | 2005-10-12 |
| 申请日期 | 1998-06-12 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/50241]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 联发科技股份有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 小N・A・博亚株克,S・古哈,邓伟松,等. 光学记录中作为相变媒质的Ⅲ族金属氮化物薄膜. CN1222940C. 2005-10-12. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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