半导体层叠板和垂直腔面发射激光器
文献类型：专利
| 作者 | 原敬 |
| 发表日期 | 2015-09-02 |
| 专利号 | CN103311805B |
| 著作权人 | 株式会社理光 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半导体层叠板和垂直腔面发射激光器 |
| 英文摘要 | 一种半导体层叠板包括半导体分布布拉格反射镜(DBR)形成于基底上的半导体分布布拉格反射镜(DBR)、通过交替层叠宽能带半导体层和有源层形成于半导体DBR上的谐振器层。每一个有源层都包含一个多量子阱(MQW)层和形成于为在多量子阱层的每一个表面上各有一个的两个分隔层。多量子阱层通过交替层叠阻挡层和量子阱层形成。形成n层宽能带半导体层，且从基底数第m层宽能带半导体层的能隙Egm，和从基底数第m-1层宽能带半导体层的能隙Egm-1，满足Egm-1＜Egm，其中n和m均为大于等于2的整数，且1＜m≤n。 |
| 公开日期 | 2015-09-02 |
| 申请日期 | 2013-03-13 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/50268]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社理光 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 原敬. 半导体层叠板和垂直腔面发射激光器. CN103311805B. 2015-09-02. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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