一种高功率密度半导体激光器热沉
文献类型：专利
| 作者 | 仲莉; 张俊杰; 罗泓; 井红旗; 祁琼; 刘素平; 马骁宇 |
| 发表日期 | 2017-10-24 |
| 专利号 | CN104682189B |
| 著作权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 一种高功率密度半导体激光器热沉 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种高功率密度半导体激光器热沉，包括：进水热沉，为一具有上窄下宽横截面的柱状结构，柱体厚度大于列阵条长度(标准10mm)，较窄的上表面用于焊接高密度封住的半导体激光器列阵条叠层。其一侧面开有入水孔，入水孔四周开有凹槽；所述入水孔将水道引入所述进水热沉后，水道方向变为垂直向上的水道，并延伸至接近进水热沉上表面的位置，之后变为水平方向的第一梳状导流齿水道；中间热沉，在与所述进入热沉的第一梳状导流齿水道相应的部位开有贯通于中间热沉两侧面的第二梳状导流齿水道，第二梳状导流齿水道两端外侧开有凹槽；出水热沉，另一侧面开有水平螺纹出水孔，所述出水孔和梳状导流齿水道之间通过一段垂直直通水道连通。 |
| 公开日期 | 2017-10-24 |
| 申请日期 | 2015-02-12 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/50276]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院半导体研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 仲莉,张俊杰,罗泓,等. 一种高功率密度半导体激光器热沉. CN104682189B. 2017-10-24. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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