半导体激光器的制造方法
文献类型：专利
| 作者 | 后藤修; 山田光志; 八重樫浩树; 堀川英明 |
| 发表日期 | 2004-01-28 |
| 专利号 | CN1136636C |
| 著作权人 | OKI半导体株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半导体激光器的制造方法 |
| 英文摘要 | 一种用高精度形成用于分割半导体器件10的标记的制造半导体器件的方法，其中，多个半导体器件10制备在一个半导体衬底16上，而作为标记的刻蚀槽31形成在半导体衬底16上的半导体器件区域的外部。 |
| 公开日期 | 2004-01-28 |
| 申请日期 | 1998-01-25 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/50306]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | OKI半导体株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 后藤修,山田光志,八重樫浩树,等. 半导体激光器的制造方法. CN1136636C. 2004-01-28. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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