Ga In比例渐变的W型锑基半导体激光器
文献类型：专利
| 作者 | 唐吉龙; 魏志鹏; 方铉; 房丹; 高娴; 牛守柱; 王菲; 马晓辉; 王晓华 |
| 发表日期 | 2017-07-04 |
| 专利号 | CN104638517B |
| 著作权人 | 长春理工大学 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | Ga In比例渐变的W型锑基半导体激光器 |
| 英文摘要 | Ga In比例渐变的W型锑基半导体激光器属于半导体激光器技术领域。现有InAs/GaInSb W型锑基半导体激光器很难实现室温发光，低温(73K)发光的输出功率也很小。本发明自下而上依次为GaSb衬底、GaSb缓冲层、P型GaSb接触层、P型量子阱、本征量子阱、N型量子阱和N型InAs接触层，所述P型量子阱、本征量子阱、N型量子阱具有多周期结构，所述多周期结构中的每个单周期量子阱的结构为由双InAs电子量子阱夹GaInSb空穴量子阱的三明治结构，外层是一对AlSb合金限制层；其特征在于，所述GaInSb空穴量子阱由3～9层Ga1‑xInxSb层构成，x＝0.05～0.35，中间的Ga1‑xInxSb层的x的值最大，两边的Ga1‑xInxSb层自中间向两边呈1～4级分布，同级的两个Ga1‑xInxSb层的x的值相同，自中间向两边各级Ga1‑xInxSb层的x的值逐渐减小。 |
| 公开日期 | 2017-07-04 |
| 申请日期 | 2015-03-13 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/50397]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 长春理工大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 唐吉龙,魏志鹏,方铉,等. Ga In比例渐变的W型锑基半导体激光器. CN104638517B. 2017-07-04. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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