表面发射半导体激光器装置
文献类型：专利
| 作者 | 盖德·艾伯特·罗格若; 方瑞雨; 阿里桑德罗·斯塔诺; 朱莉安娜·莫若罗 |
| 发表日期 | 2015-04-01 |
| 专利号 | CN102610997B |
| 著作权人 | 安华高科技股份有限公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 表面发射半导体激光器装置 |
| 英文摘要 | 本发明涉及一种表面发射半导体激光器装置，其中，边缘发射激光器与衍射或折射透镜集成在同一半导体激光器装置上。提供了一种表面发射半导体激光器装置，包括：形成在布置于半导体衬底上的各个半导体材料层中的边缘发射激光器，在衬底上与形成边缘发射激光器的层横向相邻布置的聚合物材料，形成在聚合物材料的上表面内或上表面上的衍射或折射透镜，形成在聚合物材料的大致面向激光器的出射端面的倾斜侧反射器面上的侧反射器，布置在聚合物材料下方的衬底上的下反射器。激光穿出出射端面并在由侧反射器朝向下反射器反射之前传播通过聚合物材料。激光之后由下反射器朝向透镜再次反射，透镜将激光沿着衬底的上表面大致法向的方向引导到装置之外。 |
| 公开日期 | 2015-04-01 |
| 申请日期 | 2012-01-18 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/50406]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 安华高科技股份有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 盖德·艾伯特·罗格若,方瑞雨,阿里桑德罗·斯塔诺,等. 表面发射半导体激光器装置. CN102610997B. 2015-04-01. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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