氮化物半导体分层结构以及结合该分层结构部分的氮化物半导体激光器
文献类型：专利
| 作者 | 竹内哲也; 渡边智; 金子和; 山田范秀; 天野浩; 赤崎勇 |
| 发表日期 | 2005-03-16 |
| 专利号 | CN1193470C |
| 著作权人 | 安华高科技通用IP(新加坡)公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 氮化物半导体分层结构以及结合该分层结构部分的氮化物半导体激光器 |
| 英文摘要 | 一种包括缓冲层和位于缓冲层之上的复合层的氮化物半导体分层结构。该缓冲层是一个包括AlN的低温沉积的氮化物半导体材料层。该复合层是一个包括AlN的单晶氮化物半导体材料层。该复合层包括临近缓冲层的第一亚层和位于该第一亚层之上第二亚层。该复合层的单晶氮化物半导体材料在第一亚层中具有第一AlN摩尔分数以及在第二亚层中具有第二AlN摩尔分数。第二AlN摩尔分数大于第一AlN摩尔分数。氮化物半导体激光器包括上述的氮化物半导体分层结构的一部分，并且还包括位于该复合层之上的光波导层和位于该光波导层之上的有源层。 |
| 公开日期 | 2005-03-16 |
| 申请日期 | 2000-07-14 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/50458]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 安华高科技通用IP(新加坡)公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 竹内哲也,渡边智,金子和,等. 氮化物半导体分层结构以及结合该分层结构部分的氮化物半导体激光器. CN1193470C. 2005-03-16. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。