在降低的温度下制造的(Al、Ga、In)N二极管激光器
文献类型：专利
| 作者 | D·A·科恩; S·P·邓巴尔思; 中村修二 |
| 发表日期 | 2013-06-12 |
| 专利号 | CN102099976B |
| 著作权人 | 加利福尼亚大学董事会 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 在降低的温度下制造的(Al、Ga、In)N二极管激光器 |
| 英文摘要 | 一种制造(Al、Ga、In)N激光二极管的方法，包括在第一温度下在生长衬底上沉积一个或多个III-N层，在第二温度下在第一温度沉积的层上沉积含铟激光器核心，在抑制激光器核心劣化的条件下进行所有随后的制造步骤，其中该条件是基本上低于第二温度的温度。 |
| 公开日期 | 2013-06-12 |
| 申请日期 | 2009-06-01 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/50485]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 加利福尼亚大学董事会 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | D·A·科恩,S·P·邓巴尔思,中村修二. 在降低的温度下制造的(Al、Ga、In)N二极管激光器. CN102099976B. 2013-06-12. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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