半導体接着基板および半導体モジユール
文献类型：专利
| 作者 | 濱崎 浩史; 古山 英人; 黒田 文彦; 阪口 眞弓; 中村 優 |
| 发表日期 | 1993-02-12 |
| 专利号 | JP1993036643A |
| 著作权人 | 株式会社東芝 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体接着基板および半導体モジユール |
| 英文摘要 | 【目的】 簡単なプロセスでエッチング深さの誤差を一定微小範囲内に制御でき、かつ、厚い基板を得る場合にも適用できる半導体接着基板を提供することを目的とする。 【構成】 平滑な表面を有する少なくとも3層の半導体あるいは絶縁体の被エッチング層と、この被エッチング層の平滑面間に介在する半導体あるいは絶縁体のエッチング停止層とを具備し、前記エッチング停止層は、所望のエッチング方法に対して前記被エッチング層と異なるエッチング速度を有する。 |
| 公开日期 | 1993-02-12 |
| 申请日期 | 1991-07-29 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/50718]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社東芝 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 濱崎 浩史,古山 英人,黒田 文彦,等. 半導体接着基板および半導体モジユール. JP1993036643A. 1993-02-12. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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