半導体光デバイス及びその組立方法
文献类型：专利
| 作者 | 大村 悦司 |
| 发表日期 | 1993-03-05 |
| 专利号 | JP1993055712A |
| 著作权人 | 三菱電機株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体光デバイス及びその組立方法 |
| 英文摘要 | (修正有) 【目的】 活性領域の近傍にメサ溝を有する半導体光デバイスを応力の集中を避けてメサ主面をヒートシンク材に半田固着させる。 【構成】 メサ106主面にのみ半田材104を使用して半田固着するようにした。 【効果】 半田固着の際に、半導体レーザ1素子周辺から活性領域102に加わる熱応力を低減することができ、メサ溝103を有する半導体レーザを、放熱効果は高く、かつ寿命の観点からは信頼性の高い、半導体光デバイスの組立方法でもって実現できる。 |
| 公开日期 | 1993-03-05 |
| 申请日期 | 1991-08-27 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/50719]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三菱電機株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 大村 悦司. 半導体光デバイス及びその組立方法. JP1993055712A. 1993-03-05. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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