光集積回路及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 佐野 博久; 井上 宏明; 魚見 和久; 青木 雅博 |
| 发表日期 | 1993-03-12 |
| 专利号 | JP1993063179A |
| 著作权人 | 株式会社日立製作所 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 光集積回路及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 低チャーピングな光源として光変調器を内部に組み込んだ光集積回路及びその簡易な製造方法を実現する。 【構成】 レーザー部13と光変調器部14は共通の活性層1(光吸収層)を持つ。通常、光変調器は光吸収層での無バイアス時の吸収係数が小さくなる波長域で動作させるが、本発明では光吸収層1’の厚みを薄くすることにより高吸収係数で動作させることを可能とすると共に、レーザー部13の発振波長を活性層の利得ピークよりも長波長側にずらすことにより、共通活性層1(光吸収層)での構成を可能とした。 【効果】 高速光伝送に適した高性能な光源を簡単なプロセスで作成することが可能となる。特に、通常問題となる異種光素子間の光学的な結合を高くし、光集積回路の高性能化及び作成プロセスの簡単化に大きな効果をもつ。 |
| 公开日期 | 1993-03-12 |
| 申请日期 | 1991-08-30 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/50720]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社日立製作所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 佐野 博久,井上 宏明,魚見 和久,等. 光集積回路及びその製造方法. JP1993063179A. 1993-03-12. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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