半導体薄膜形成方法及び半導体装置
文献类型：专利
| 作者 | 藤崎 芳久; 芳賀 徹 |
| 发表日期 | 1993-03-19 |
| 专利号 | JP1993067575A |
| 著作权人 | 株式会社日立製作所 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体薄膜形成方法及び半導体装置 |
| 英文摘要 | 【目的】複数種の半導体結晶を混合し新たな性質をもった半導体結晶(混晶)薄膜を作製するにあたり、構成原子を精密に配置しながら成長させる結晶成長方法を提供する。 【構成】複数種のAl,Ga等の半導体構成元素を、それぞれの構成元素を含む化合物分子TIBAl,TEGaを用いて、分子間の相互作用によりGaAs等の結晶表面に規則的に吸着させる。この過程を繰返し、三次元超格子を作成する。 【効果】構成原子を精密に配置しながら成長する事ができるため、構成元素の組成を精密に制御することが可能となる。また規則的な原子配列を実現することでキャリア移動度などの物性を飛躍的に向上させることができる。 |
| 公开日期 | 1993-03-19 |
| 申请日期 | 1991-09-10 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/50723]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社日立製作所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 藤崎 芳久,芳賀 徹. 半導体薄膜形成方法及び半導体装置. JP1993067575A. 1993-03-19. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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