半導体レーザ装置の接合方法と半田層
文献类型：专利
| 作者 | 国原 健二 |
| 发表日期 | 1993-02-19 |
| 专利号 | JP1993041563A |
| 著作权人 | 富士電機株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置の接合方法と半田層 |
| 英文摘要 | (修正有) 【目的】半導体レーザ素子を放熱体に半田付けした半導体レーザ装置に半田溜まりが発生するのを防ぐ。 【構成】半導体レーザ素子1と放熱体5との間に半田箔を置き、半田の固相と液相が共存する温度範囲に加熱して半田付けを行なうことにより、半導体レーザ素子の電極3面は放熱体5とよく濡れ、加圧力に対しても溶融半田が押し出されることなく、初めの箔の形を保ったまま、高い接合強度と素子特性を保持する良好な接合状態を得ることができる。また、接合に用いる半田層7として、半田合金に導電性金属の微粉末を一様に分散混合した箔状半田を用い、金属微粉末の粒系が0.1〜1μm,半田合金と金属微粉末との混合比を体積比で40〜70%とすることにより、半田付け温度で液状半田合金と固体の金属微粉末との共存状態となり、適度の粘性を有し、上述と同様に良好な接合状態が得られる。 |
| 公开日期 | 1993-02-19 |
| 申请日期 | 1991-09-18 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/50726]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 富士電機株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 国原 健二. 半導体レーザ装置の接合方法と半田層. JP1993041563A. 1993-02-19. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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