半導体レ—ザ装置の構造
文献类型：专利
| 作者 | 田中 治夫; 青木 直史 |
| 发表日期 | 1999-11-30 |
| 专利号 | JP1999330626A |
| 著作权人 | ローム株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レ—ザ装置の構造 |
| 英文摘要 | 【課題】 半導体レーザチップ8をマウントした金属製の支持板5と、リード端子3,4とを、合成樹脂のトランスファ成形によるモールド体6にて結合して成る半導体レーザ装置において、前記モールド体6をトランスファ成形するときに、その圧力及び熱によるダメージが前記半導体レーザチップ8に及ぶことを回避すると共に、放熱性の向上を図る。 【解決手段】 前記モールド体6を、半導体レーザチップにおける周囲のうちそのレーザ出射方向を除いて囲う枠型にする一方、前記支持板5に前記モールド体6より突出する取付け片5aを一体的に設ける。 |
| 公开日期 | 1999-11-30 |
| 申请日期 | 1991-11-06 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/50737]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ローム株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 田中 治夫,青木 直史. 半導体レ—ザ装置の構造. JP1999330626A. 1999-11-30. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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