光半導体装置および製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 足立 秀人; 松田 賢一; 柴田 淳 |
| 发表日期 | 1993-10-15 |
| 专利号 | JP1993267791A |
| 著作权人 | 松下電器産業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 光半導体装置および製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 発光素子として、活性層にInGaAsを用い共振器ミラーにGaAs/AlAs半導体多層膜を用いた垂直共振器型面発光レーザを用い、その発光波長を吸収することのできるフォトトランジスタをグレーディッド層を介することによって積層し、コヒーレント光を出力することのできる光双安定素子およびそれを集積化した光並列処理用メモリを実現する。 【構成】 InP基板上に積層されたInP系材料からなるフォトトランジスタ上に、InxGa1ーxAsグレーディッド層を介して、活性層にInGaAsを用い共振器ミラーにGaAs/AlAs半導体多層膜を用いた垂直共振器型面発光レーザを配置する。 |
| 公开日期 | 1993-10-15 |
| 申请日期 | 1992-03-19 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/50762]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 松下電器産業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 足立 秀人,松田 賢一,柴田 淳. 光半導体装置および製造方法. JP1993267791A. 1993-10-15. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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