半導体素子の実装用接合材およびそれを用いた半導体素子の実装方法
文献类型：专利
| 作者 | 上山 智; 大仲 清司; 守田 幸信 |
| 发表日期 | 1994-05-31 |
| 专利号 | JP1994152064A |
| 著作权人 | 松下電器産業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体素子の実装用接合材およびそれを用いた半導体素子の実装方法 |
| 英文摘要 | 【目的】半導体素子の実装工程において、清浄な接合材の表面が得られ、素子との強い密着強度が得られる半導体素子の実装方法を提供する。 【構成】半導体素子実装用接合材は、ハンダ材として用いられるインジュウム2を表面の凹凸が1μm以下の平坦性に優れるETFE10上へ蒸着する。ETFEフィルム10のインジュウム2の面をヒートシンク1に設置し、ETFEフィルム10側からコテ6で加圧する。 【効果】転写されたインジュウムは表面のフッ素および炭素の化合物が従来と比べて著しく減少し、また容易に転写できるようになり工程も安定する。したがって半導体素子の信頼性および歩留が向上する。 |
| 公开日期 | 1994-05-31 |
| 申请日期 | 1992-05-26 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/50771]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 松下電器産業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 上山 智,大仲 清司,守田 幸信. 半導体素子の実装用接合材およびそれを用いた半導体素子の実装方法. JP1994152064A. 1994-05-31. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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