半絶縁性基板上の同調可能な半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | マルクス‐クリスチアン アマン; シユテフアン イレーク; ウオルフガング チユルケ |
| 发表日期 | 1993-07-30 |
| 专利号 | JP1993190961A |
| 著作权人 | SIEMENS AG |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半絶縁性基板上の同調可能な半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【目的】 半絶縁性基板上に活性層、中間層、同調層から成る層構造を備える同調可能な半導体レーザダイオードを特に単独モジュールとして容易に製作できるようにする。 【構成】 層構造3〜5に両側で横に隣接するカバー層7が設けられ、上側領域10が層構造3〜5の上方に形成され、また上側領域10から分離され層構造3〜5の基板1に向かう面と導電結合された横領域9が形成され、電気的に相互に分離された部分80〜82を備える接触層8が上側領域10、横領域9及びカバー層7上に設けられ、これらの部分80〜82のための電極14〜16が設けられ、それにより分離された電流注入が中間層5を経て活性層3及び同調層4へ行われる。 |
| 公开日期 | 1993-07-30 |
| 申请日期 | 1992-07-22 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/50782]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SIEMENS AG |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | マルクス‐クリスチアン アマン,シユテフアン イレーク,ウオルフガング チユルケ. 半絶縁性基板上の同調可能な半導体レーザ. JP1993190961A. 1993-07-30. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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