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半導体レーザーユニット及び光メモリ装置用光ヘッド

文献类型:专利

作者有村 敏男
发表日期1994-05-31
专利号JP1994152067A
著作权人セイコーエプソン株式会社
国家日本
文献子类发明申请
其他题名半導体レーザーユニット及び光メモリ装置用光ヘッド
英文摘要【目的】 半導体レーザーユニットにおいて、内部にフォトダイオードを複数実装することにより端子の本数が増える場合、及びレーザーダイオード搭載用のヒートシンクにフォトダイオードを搭載するための段差を設ける場合に、ステムの最外形に対するヒートシンクの位置精度を確保し、かつヒートシンク形状精度を確保したステムを提供するものである。 【構成】 ヒートシンク部材5とヒートシンク6を一体構造としたブロックと、つぶし端子2及び端子3をガラス4にてシールし、中心付近に前記ブロックを搭載するための段差6aを設けた円形金属部材1とから構成される。
公开日期1994-05-31
申请日期1992-11-10
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/50800]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位セイコーエプソン株式会社
推荐引用方式
GB/T 7714
有村 敏男. 半導体レーザーユニット及び光メモリ装置用光ヘッド. JP1994152067A. 1994-05-31.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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