半導体装置及び半導体装置の組立方法
文献类型：专利
| 作者 | 高森 晃; 大田 啓之; 上山 智; 伴 雄三郎; 大仲 清司 |
| 发表日期 | 1994-07-08 |
| 专利号 | JP1994188328A |
| 著作权人 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体装置及び半導体装置の組立方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 凹凸を有するメタライズ基板と半導体チップの接合面の隙間に熱伝導性の優れた物質を液化して、毛細管現象を利用して充填することにより、熱抵抗を下げ、素子の信頼性向上を図る。 【構成】 電極パターン4を有するメタライズ基板1に電極分離用の溝部3が設けられており、これに半導体チップ2の電極パターン5を位置合わせしてフェースダウンボンディングする。あらかじめ、半導体チップ3の外側の溝部の一部に絶縁性フィラー6を付着させておく。ボンディング時の加熱により上記フィラーは溶融し、毛細管現象によって溝部を伝わり、半導体チップとメタライズ基板との間の熱抵抗が減少する。半導体チップの放熱特性が改善されるため、素子の信頼性を向上できる。 |
| 公开日期 | 1994-07-08 |
| 申请日期 | 1992-12-21 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/50803]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 高森 晃,大田 啓之,上山 智,等. 半導体装置及び半導体装置の組立方法. JP1994188328A. 1994-07-08. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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