半導体光学デバイスおよびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | ホロニャック ニック ジュニア; キッシュ フレッド エー.; カラッチ ステファン ジェイ.; エルゼイン ナダ |
| 发表日期 | 2003-08-08 |
| 专利号 | JP2003224330A |
| 著作权人 | BOARD OF TRUSTEES OF THE UNIV OF ILLINOIS |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体光学デバイスおよびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 この開示はアルミニウムベアリングIII-V族半導体材料およびこの半導体材料内に形成されたアルミニウムの原産酸化物を使用した技術の改善に関する。 【解決手段】 この開示のある形態の中で、アルミニウムベアリングIII-V族半導体材料の原産酸化物により定められる端結合ミニキャビティの2つの線形配列は二次元配列を得るため線形配列の間の横結合により横に配置されている。この二次元配列は電流が増加する光パワー(L)対電流(I)特性におけるモード切り替えとマルチ切り替えを示している。この開示の他の形態の中で、ストライプレーザ(1210)は端結合のミニキャビティ(1221-1275)の線形配列と横断的に(すなわち横)結合している。双安定およびスイッチングは原産酸化物で定められるこのタイプの構造の光対電流(L-I)特性の中で示される。 |
| 公开日期 | 2003-08-08 |
| 申请日期 | 1993-03-26 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/50819]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | BOARD OF TRUSTEES OF THE UNIV OF ILLINOIS |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | ホロニャック ニック ジュニア,キッシュ フレッド エー.,カラッチ ステファン ジェイ.,等. 半導体光学デバイスおよびその製造方法. JP2003224330A. 2003-08-08. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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