分布帰還型半導体レーザ素子
文献类型：专利
| 作者 | 行谷 武; 粕川 秋彦 |
| 发表日期 | 1994-11-25 |
| 专利号 | JP1994326404A |
| 著作权人 | FURUKAWA ELECTRIC CO LTD:THE |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 分布帰還型半導体レーザ素子 |
| 英文摘要 | 【目的】 純粋な利得結合が得られ、信頼性も向上した分布帰還型半導体レーザ素子を提供する。 【構成】 半導体基板10と、該半導体基板10上に形成された活性層12と、該活性層12に隣接し、発振方向に周期的に高抵抗領域18が形成された半導体層17とを備え、活性層12におけるレーザ発振スペクトルをこの周期により制御する。 |
| 公开日期 | 1994-11-25 |
| 申请日期 | 1993-05-10 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/50828]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | FURUKAWA ELECTRIC CO LTD:THE |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 行谷 武,粕川 秋彦. 分布帰還型半導体レーザ素子. JP1994326404A. 1994-11-25. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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