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半導体レーザ用ステム

文献类型:专利

作者中山 晴雄
发表日期1995-03-03
专利号JP1995058407A
著作权人古河電気工業株式会社
国家日本
文献子类发明申请
其他题名半導体レーザ用ステム
英文摘要【目的】 半導体レーザ用ステムに用いられる半導体レーザやフォトダイオードに素子毎の特性上のばらつきがあっても、これに影響されないモニタ出力電流を得る。 【構成】 半導体レーザ1を保持するヒートシンク8を搭載したベース11に、リードピン12,13,14を挿通固定する。一方、半導体レーザ1から漏光するビーム6aをモニタするフォトダイオード2をステージ10に搭載し、このステージ10をリードピン12に摺動自在に嵌め込んだ輪環部15に連結固定する。輪環部15は駆動機構17によって上下方向に移動される。この駆動機構17は、半導体レーザ1から規定値L0 のレーザビーム6が出力するとき、素子1,2に特性上のばらつきがあっても、一定のモニタ出力電流値M0 が得られるようフォトダイオード2の位置を調整する。
公开日期1995-03-03
申请日期1993-08-09
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/50842]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位古河電気工業株式会社
推荐引用方式
GB/T 7714
中山 晴雄. 半導体レーザ用ステム. JP1995058407A. 1995-03-03.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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