貼合せ半導体ウェハとその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 山本 博昭; 植村 訓之; 河野 光雄 |
| 发表日期 | 1995-03-31 |
| 专利号 | JP1995086539A |
| 著作权人 | コマツ電子金属株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 貼合せ半導体ウェハとその製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】デバイスを組み込んだときの酸化膜耐圧が十分に高く、したがってデバイスの歩留りを向上することができる貼合せ半導体ウェハとその製造方法を提供する。 【構成】第1のウェハと第2のウェハとを直接接合した貼合せ半導体ウェハにおいて、第1のウェハのレーザー散乱体密度が5×105個/cm3以下であることを特徴とし、また、第1のウェハと第2のウェハとを絶縁層を介して接合した貼合せSOI半導体ウェハにおいて、第1のウェハのレーザー散乱体密度が5×105個/cm3以下であることを特徴とする。 |
| 公开日期 | 1995-03-31 |
| 申请日期 | 1993-09-09 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/50846]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | コマツ電子金属株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 山本 博昭,植村 訓之,河野 光雄. 貼合せ半導体ウェハとその製造方法. JP1995086539A. 1995-03-31. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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