集積化短キャビティ·レーザ
文献类型:专利
作者 | ルーベン·セオドア·コリンズ; サンディップ·ティワリ |
发表日期 | 1994-08-12 |
专利号 | JP1994224521A |
著作权人 | インターナショナル·ビジネス·マシーンズ·コーポレイション |
国家 | 日本 |
文献子类 | 发明申请 |
其他题名 | 集積化短キャビティ·レーザ |
英文摘要 | (修正有) 【目的】低消費電力でOEICと集積可能、ファイバと結合容易な単一モード半導体レーザを安価に製作する。 【構成】InPやGaAs等の基板200上にAlInAsやGaAlAs等のp+層205、InGaAsPの活性層207、AlInPやInP等のn+層209、n接触113を形成する。エッチングにより長さが発振波長の10倍以下で、その両端の面エッジ215,217を活性層207の層面に垂直に形成し、その上にブラッグ反射器107,109を形成して共振器を構成する。また出力側ブラッグ反射器107の表面から1〜5μmの近接距離に光ファイバ120の端面が来るように、基板200上に加工した溝と溝のエッジ127を利用して光ファイバを固定する。 【効果】構造上このレーザは通常のプレーナ半導体製造技術で安価に製作でき、短共振器のため単一モードで効率よく低消費電力動作をすることができる。 |
公开日期 | 1994-08-12 |
申请日期 | 1993-10-20 |
状态 | 失效 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/50855] ![]() |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | インターナショナル·ビジネス·マシーンズ·コーポレイション |
推荐引用方式 GB/T 7714 | ルーベン·セオドア·コリンズ,サンディップ·ティワリ. 集積化短キャビティ·レーザ. JP1994224521A. 1994-08-12. |
入库方式: OAI收割
来源:西安光学精密机械研究所
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