光パルス発生素子
文献类型:专利
作者 | 脇田 紘一 |
发表日期 | 1995-08-04 |
专利号 | JP1995202326A |
著作权人 | NIPPON TELEGR & TELEPH CORP |
国家 | 日本 |
文献子类 | 发明申请 |
其他题名 | 光パルス発生素子 |
英文摘要 | 【目的】 光通信及び光計測における光源として高速でかつ可変できる繰り返し周波数を有し、短光パルスを発生し、制御する光パルス発生素子を提供する。 【構成】 半導体レーザ部12と、該半導体レーザと同一基板上に形成された前記半導体レーザ部12の出射光を強度変調する強度変調器部13と、前記半導体レーザ部12と同一基板上に形成され前記強度変調器部13により強度変調された光の位相を制御すると共に前記光強度変調器部13と独立に駆動された光位相変調器部14とを有し、これら三素子は互いに光学的に結合され、かつ、前記半導体レーザの光強度変調器側と反対側の片端面とを前記位相変調器の半導体レーザ側と反対の片端面からなる光共振器を構成し、前記強度変調器を大振幅動作させて光パルス列を発生し、その光パルスの繰り返し周波数を前記光位相変調器で制御する。 |
公开日期 | 1995-08-04 |
申请日期 | 1994-01-07 |
状态 | 失效 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/50867] ![]() |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | NIPPON TELEGR & TELEPH CORP |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 脇田 紘一. 光パルス発生素子. JP1995202326A. 1995-08-04. |
入库方式: OAI收割
来源:西安光学精密机械研究所
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