半導体光装置
文献类型：专利
| 作者 | 佐藤 憲史; 三冨 修 |
| 发表日期 | 1995-08-29 |
| 专利号 | JP1995231132A |
| 著作权人 | NIPPON TELEGR & TELEPH CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体光装置 |
| 英文摘要 | 【目的】 高速動作が可能で発振波長の安定性に優れた半導体光源を実現する。 【構成】 半導体光装置は、半導体基板上に形成された共通の活性層部を有し、かつ順次光学的に結合された発光素子、光変調器および半導体光増幅器の三つの領域を有する。 |
| 公开日期 | 1995-08-29 |
| 申请日期 | 1994-02-18 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/50875]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | NIPPON TELEGR & TELEPH CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 佐藤 憲史,三冨 修. 半導体光装置. JP1995231132A. 1995-08-29. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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