積層型半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 松下 規由起; 渥美 欣也; 木村 裕治; 安部 克則 |
| 发表日期 | 1996-05-17 |
| 专利号 | JP1996125270A |
| 著作权人 | 日本電装株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 積層型半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【目的】 2つの半導体レーザ素子を積層してなる積層型半導体レーザにおいてそれらの素子間からはみ出たはんだが下側の素子の発光層を覆いにくくする。 【構成】 半導体レーザ素子の上部電極8上の周辺部に絶縁層(SiO2 )7が形成されている。この図3に示す半導体レーザ素子を積層する場合、下側の素子の絶縁層7上に、上側の素子のはんだ層10が位置する。ここで、絶縁層7ははんだ濡れ性が悪いため、2の素子を接合する際に、はんだが素子間の外にはみ出したとしても、それが下側素子の発光層に付着することがない。 |
| 公开日期 | 1996-05-17 |
| 申请日期 | 1994-10-28 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/50924]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電装株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 松下 規由起,渥美 欣也,木村 裕治,等. 積層型半導体レーザ. JP1996125270A. 1996-05-17. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。