半導体レーザのマウント構造
文献类型：专利
| 作者 | 鈴木 哲哉; 寺田 敏行; 藤田 恭久; 藤井 智 |
| 发表日期 | 1996-09-03 |
| 专利号 | JP1996228045A |
| 著作权人 | 新日本製鐵株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザのマウント構造 |
| 英文摘要 | 【目的】 半導体レーザのマウント構造において簡単な構造で高効率な放熱効果を得る。 【構成】 半導体レーザチップ10を受容可能なように凹部1aを異方性エッチングにて形成された第1のサブマウント6と、凹部1a内に受容された状態の半導体レーザチップ10を挟持するように、第1のサブマウントに平板状の第2のサブマウント3をはんだ5を融着して固着する。 【効果】 動作熱を発半導体レーザチップの両面から放散させることができると共に、半導体レーザチップの両側にヒートシンクを設ける必要がなく、厚さを極力抑えることができ、半導体レーザ素子のコンパクト化を向上し得ると共に、半導体レーザチップの位置決めを容易に行い得る。 |
| 公开日期 | 1996-09-03 |
| 申请日期 | 1995-02-21 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/50945]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 新日本製鐵株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 鈴木 哲哉,寺田 敏行,藤田 恭久,等. 半導体レーザのマウント構造. JP1996228045A. 1996-09-03. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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