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三次元集積回路装置およびその製造方法

文献类型:专利

作者小川 元一; 鷹野 致和
发表日期1996-09-13
专利号JP1996236695A
著作权人KYOCERA CORP
国家日本
文献子类发明申请
其他题名三次元集積回路装置およびその製造方法
英文摘要【構成】 シリコン基板の表面部に第一の機能素子を設け、この第一の機能素子上に第一の保護膜を設けると共に、ガリウム砒素基板上に、アルミニウムガリウム砒素層とガリウム砒素層を設けて、このガリウム砒素層上に第二の保護膜を設け、この第二の保護膜と前記第一の保護膜を接合した後に、前記アルミニムガリウム砒素層とガリウム砒素基板を除去し、次いで前記ガリウム砒素層部分に第二の機能素子を形成し、この第二の機能素子と前記第一の機能素子を前記保護膜部分に形成したビアホールを介して接続する。 【効果】 シリコン系機能素子を破壊することなく、ガリウム砒素系機能素子を同一基板上に集積化して形成することができる。また、ガリウム砒素系化合物半導体中に形成した機能素子で光の入出力を行い、さらにこの機能素子と相互接続したシリコン系機能素子で信号処理することができる高機能三次元集積回路装置を提供できる。
公开日期1996-09-13
申请日期1995-02-24
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/50946]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位KYOCERA CORP
推荐引用方式
GB/T 7714
小川 元一,鷹野 致和. 三次元集積回路装置およびその製造方法. JP1996236695A. 1996-09-13.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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