ユニポーラ半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 須佐 信彦 |
| 发表日期 | 1996-09-13 |
| 专利号 | JP1996236854A |
| 著作权人 | NIPPON TELEGR & TELEPH CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | ユニポーラ半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【目的】 発振波長が2μm以下でかつ低駆動電圧·低発振閾値特性を有するユニポーラ半導体レーザを提供する。 【構成】 InPに格子整合したInGaAs井戸層1,2を、InPに格子整合したAlAsSb障壁層3,4,5を介して結合して結合量子井戸を構成し、これに電子または正孔のいずれか一方を注入し、この結果、生ずる結合量子井戸中の伝導帯または価電子帯のサブバンド間遷移により発光を行う。 |
| 公开日期 | 1996-09-13 |
| 申请日期 | 1995-02-27 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/50947]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | NIPPON TELEGR & TELEPH CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 須佐 信彦. ユニポーラ半導体レーザ. JP1996236854A. 1996-09-13. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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