光学デバイスとその製造方法及び光ピックアップ
文献类型:专利
作者 | 伊藤 達男; 塩野 照弘 |
发表日期 | 1996-09-27 |
专利号 | JP1996249715A |
著作权人 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
国家 | 日本 |
文献子类 | 发明申请 |
其他题名 | 光学デバイスとその製造方法及び光ピックアップ |
英文摘要 | 【目的】 光ディスク等の信号の記録·再生に用いられる光学デバイスにおいて半導体レーザや光検出器のリード線の取り出しを基板裏面から行えるようにして組立·調整や封止を容易にすると共に、基板裏面をエッチングすることで、放熱面積を拡大し、高出力半導体レーザを用いることができるようにする。 【構成】 シリコン基板113に穴115を形成し、一つの側面に半導体レーザ101を設け、穴115に対向する面から異方性エッチングで貫通穴118を形成し、貫通穴118に充填した導電性物質と半導体レーザ101の一方の電極とをワイヤ120で接続して、シリコン基板113の裏面側から半導体レーザ101のリード線の取り出しを可能にする。またシリコン基板113の裏面にエッチングしてエッチング穴123を設け、表面積を拡大し放熱効果を増大させる。 |
公开日期 | 1996-09-27 |
申请日期 | 1995-03-08 |
状态 | 失效 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/50950] ![]() |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 伊藤 達男,塩野 照弘. 光学デバイスとその製造方法及び光ピックアップ. JP1996249715A. 1996-09-27. |
入库方式: OAI收割
来源:西安光学精密机械研究所
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