半導体レーザ装置,及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 久 義浩 |
| 发表日期 | 1996-10-01 |
| 专利号 | JP1996255947A |
| 著作权人 | MITSUBISHI ELECTRIC CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置,及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 同一半導体基板上に形成されたそれぞれ異なる波長の光を安定に単一モード発振する複数のDFB半導体レーザ素子を備えた半導体レーザ装置,及びその製造方法を提供する。 【構成】 利得結合型回折格子41は同一周期0.2μmで、同一方向に一様に形成されている。これに対してDFB半導体レーザ素子2a,2b,,2eの共振器3はその中心軸方向が回折格子41の方向に垂直な方向となす角度θがそれぞれ異なるように形成されており、これらの角度θは図1に示すように、レーザ素子2aにおいてはゼロ,2bにおいてはθ1 ,,2eにおいてはθ4であり、01 4 となっている。 【効果】 各DFB半導体レーザ素子において発振される光の波長を異なったものにでき、かつそのレーザ光の発振を安定な単一モード発振とすることができる。 |
| 公开日期 | 1996-10-01 |
| 申请日期 | 1995-03-17 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/50952]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MITSUBISHI ELECTRIC CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 久 義浩. 半導体レーザ装置,及びその製造方法. JP1996255947A. 1996-10-01. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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