半導体素子,及び半導体素子の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 船場 真司; 石村 栄太郎 |
| 发表日期 | 1997-02-14 |
| 专利号 | JP1997045954A |
| 著作权人 | 三菱電機株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体素子,及び半導体素子の製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 素子容量を低減させた半導体素子及びその製造方法,暗電流を増加させることなくエッジブレークダウンを防ぐことができる半導体素子及びその製造方法,並びに容易な製造工程により得ることができる半導体素子及びその製造方法を提供することを課題とする。 【解決手段】 n型のInP半導体基板1上に順次配置されたn-InPバッファ層2,n- -InGaAs光吸収層3、及びFeドープInP窓層17と、InP窓層17に固相拡散法を用いてZnを拡散して形成されたp型領域5と、基板1の裏面に設けられたn側電極10と、p型領域5上にp型InGaAsコンタクト層6を介して配置された,ボンディングパッド領域Bを備えたp側電極8とを備えた構成とした。 |
| 公开日期 | 1997-02-14 |
| 申请日期 | 1995-07-31 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/50975]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三菱電機株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 船場 真司,石村 栄太郎. 半導体素子,及び半導体素子の製造方法. JP1997045954A. 1997-02-14. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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