半導体素子およびその形成方法
文献类型：专利
| 作者 | 黒川 英雄; 大仲 清司; 高森 晃; 木戸口 勲 |
| 发表日期 | 1997-03-07 |
| 专利号 | JP1997064478A |
| 著作权人 | 松下電器産業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体素子およびその形成方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 受光素子を有するSi基板にAlGaInP系半導体レーザチップを実装してレーザユニット化が可能な熱抵抗の低いレーザユニットを提供する。 【構成】 レーザチップ2をSiより熱伝導率の大きなサブマウントチップ3や熱伝導膜8を介してコム4に接着することにより、レーザチップ2からの発熱を効率よくコム4に伝える。レーザチップ2とコム4との間にSi基板17が介在しないためにレーザチップ2からの発熱を効率よくコム4に伝えることができ、AlGaIn系のような発熱が多い半導体レーザーチップをユニット化することが可能となる。 |
| 公开日期 | 1997-03-07 |
| 申请日期 | 1995-08-28 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/50981]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 松下電器産業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 黒川 英雄,大仲 清司,高森 晃,等. 半導体素子およびその形成方法. JP1997064478A. 1997-03-07. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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