半導体光学構成要素における埋込みストリップと外部ストリップの整列方法
文献类型:专利
作者 | レオン·ゴルドスタン; デニス·ルクレール; ジヤン-ルイ·ジエントネ; ジヤン-フランソワ·バンシヤン |
发表日期 | 1996-03-22 |
专利号 | JP1996078792A |
著作权人 | ALCATEL NV |
国家 | 日本 |
文献子类 | 发明申请 |
其他题名 | 半導体光学構成要素における埋込みストリップと外部ストリップの整列方法 |
英文摘要 | 【課題】 本発明は光子集積回路の製造に適用される。 【解決手段】 下部封じ込め層と上部封じ込め層(CS)の間に屈折率増大層を含む半導体ウェーハ(2)の上に、誘電層を付着し、これをエッチングして、埋込みストリップ(RL)と外部ストリップ(RM)とを互いに整列させて境界を定めるために、エッチングに耐える区切りストライプ(10)を形成する。第1のエッチングで外部ストリップと埋込みストリップの起工部分(12)を形成する。次いで外部ストリップを保護した後に第2のエッチングで埋込みストリップ本体(20)を形成する。最後に選択的付着によって埋込みストリップの横方向封じ込めを実施する。 |
公开日期 | 1996-03-22 |
申请日期 | 1995-08-31 |
状态 | 失效 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/50983] ![]() |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | ALCATEL NV |
推荐引用方式 GB/T 7714 | レオン·ゴルドスタン,デニス·ルクレール,ジヤン-ルイ·ジエントネ,等. 半導体光学構成要素における埋込みストリップと外部ストリップの整列方法. JP1996078792A. 1996-03-22. |
入库方式: OAI收割
来源:西安光学精密机械研究所
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