n型窒化物半導体の電極
文献类型：专利
| 作者 | 妹尾 雅之; 中村 修二 |
| 发表日期 | 1997-03-11 |
| 专利号 | JP1997069623A |
| 著作权人 | 日亜化学工業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | n型窒化物半導体の電極 |
| 英文摘要 | 【目的】 第一にn型窒化物半導体と好ましいオーミック接触が得られ、第二にワイヤーと強固に接着できる信頼性の高いn電極を提供する。 【構成】 n型窒化物半導体にオーミック接触が得られた電極であって、その電極がチタン(Ti)、ジルコニウム(Zr)若しくはタングステン(W)より選択された少なくとも一種よりなる第一の電極材料と、シリコン(Si)若しくはゲルマニウム(Ge)より選択された少なくとも一種よりなる第二の電極材料とを含み、好ましくは第三の電極材料に金(Au)を含む。 |
| 公开日期 | 1997-03-11 |
| 申请日期 | 1995-09-01 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/50986]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日亜化学工業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 妹尾 雅之,中村 修二. n型窒化物半導体の電極. JP1997069623A. 1997-03-11. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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