光半導体素子用サブマウントおよびそのマウント方法
文献类型：专利
| 作者 | 岡崎 治彦 |
| 发表日期 | 1997-06-30 |
| 专利号 | JP1997172224A |
| 著作权人 | 株式会社東芝 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 光半導体素子用サブマウントおよびそのマウント方法 |
| 英文摘要 | 【課題】光半導体素子用サブマウントの信頼性を向上させる。 【解決手段】高熱伝導性の電気絶縁材料で構成された光半導体素子マウント用のサブマウント基体1と、サブマウント基体の光半導体素子チップ6実装側の第1面および金属製放熱体7ダイボンド側の第2面の両面に対して、それぞれサブマウント基体表面から順に形成された第1層目にTiまたはCrからなる接着層(2a、2b)、第2層目にPtからなる拡散バリア層(3a、3b)、第3層目のAu層(4a、4b)および第4層目のAuSn半田層(5a、5b)とを具備し、第1面側に形成された第3層目のAu層および第4層目のAuSn半田層のAuの総量に対するSnの含有量が、第2面側に形成された第3層目のAu層および第4層目のAuSn半田層のAuの総量に対するSnの含有量より大きい。 |
| 公开日期 | 1997-06-30 |
| 申请日期 | 1995-12-20 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/51007]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社東芝 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 岡崎 治彦. 光半導体素子用サブマウントおよびそのマウント方法. JP1997172224A. 1997-06-30. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。