窒素系III-V族化合物半導体素子およびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 奧野 八重; 塚田 俊久 |
| 发表日期 | 1997-11-28 |
| 专利号 | JP1997307188A |
| 著作权人 | HITACHI LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 窒素系III-V族化合物半導体素子およびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 窒素系III-V族化合物半導体は、主に劈開しにくいウルツ鉱型六方格子構造を有しており、共振器端面を作製することが困難である。また、接触抵抗の低いp型電極を形成することが困難であった。従って本材料によって青緑色の端面発光型半導体レーザを作製することができなかった。 【解決手段】 窒素系III-V族化合物半導体薄膜を、直接接着により面心立方格子構造を有する半導体基板上に形成する。面心立方格子構造は劈開が容易であり、基板の劈開によって窒素系薄膜の擬似劈開面を形成することができる。また、接触抵抗の低いp型電極を形成することができる。 【効果】 擬似劈開面により端面発光型レーザを実現するに不可欠な共振器端面を容易に形成できる。更に、接触抵抗の低減により駆動電圧を低減することができる。従って、これまで作製し得なかった青緑色半導体レーザを作製することができる。 |
| 公开日期 | 1997-11-28 |
| 申请日期 | 1996-05-14 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/51026]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | HITACHI LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 奧野 八重,塚田 俊久. 窒素系III-V族化合物半導体素子およびその製造方法. JP1997307188A. 1997-11-28. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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