窒素系III-V族化合物半導体の成長方法
文献类型：专利
| 作者 | 簗嶋 克典; 石橋 晃 |
| 发表日期 | 1997-12-02 |
| 专利号 | JP1997309796A |
| 著作权人 | SONY CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 窒素系III-V族化合物半導体の成長方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 基板結晶を劣化させたり、損傷したりすることなく、しかも欠陥が無く良質の窒素系III-V族化合物半導体を経済的に成長させる方法を提供する。 【解決手段】 本発明方法は、窒素系原料とIII族元素の原料を用いて、気相成長法により窒素系III-V族化合物半導体の成長方法であって、窒素系原料として少なくとも一つの窒素原子を含む有機化合物を用いる。また、好適には、窒素原料として、分子量が14よりも大きい基を少なくとも一つ窒素原子に結合してなる有機化合物、例えば第1級アミン、第2級アミン等を使用する。 |
| 公开日期 | 1997-12-02 |
| 申请日期 | 1996-05-23 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/51030]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SONY CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 簗嶋 克典,石橋 晃. 窒素系III-V族化合物半導体の成長方法. JP1997309796A. 1997-12-02. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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