半導体発光素子の製造方法および半導体結晶成長装置
文献类型：专利
| 作者 | 齋藤 徹; 辻村 歩; 佐々井 洋一 |
| 发表日期 | 1997-12-02 |
| 专利号 | JP1997312445A |
| 著作权人 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光素子の製造方法および半導体結晶成長装置 |
| 英文摘要 | 【課題】 低欠陥のZnSe系半導体レーザを提供する。 【解決手段】 第1の成長室においてn型GaAs基板上にGaAsバッファ層を形成し、さらにZn層を形成した後に、第2の成長室においてZnSe系材料を用いた半導体発光素子構造を形成する。III-V族化合物半導体を第1の成長室させ、その成長室でZn層を形成した後に、第2の成長室においてII-VI族化合物半導体を成長させ、半導体発光素子構造を形成する。これによってIII-V族とII-VI族との半導体界面に発生する欠陥が低減され超寿命の半導体発光素子が実現できる。 |
| 公开日期 | 1997-12-02 |
| 申请日期 | 1996-05-24 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/51032]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 齋藤 徹,辻村 歩,佐々井 洋一. 半導体発光素子の製造方法および半導体結晶成長装置. JP1997312445A. 1997-12-02. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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