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光半導体装置並びに半導体受光素子および光ファイバーの形成方法

文献类型:专利

作者船場 真司
发表日期1998-02-13
专利号JP1998039162A
著作权人MITSUBISHI ELECTRIC CORP
国家日本
文献子类发明申请
其他题名光半導体装置並びに半導体受光素子および光ファイバーの形成方法
英文摘要【課題】 光半導体素子と光ファイバーの光軸を容易かつ高精度にアライメントすることにより結合効率の高いかつ小型化された光半導体装置を提供する。 【解決手段】 光半導体素子1(半導体レーザ)の発光点に凹部2、光ファイバー3のコア部4に凸部5を形成して、凹部2と凸部5を嵌合することにより光半導体素子1と光ファイバー3の光軸を直接結合させる。
公开日期1998-02-13
申请日期1996-07-24
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/51042]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位MITSUBISHI ELECTRIC CORP
推荐引用方式
GB/T 7714
船場 真司. 光半導体装置並びに半導体受光素子および光ファイバーの形成方法. JP1998039162A. 1998-02-13.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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