半導体レーザアレイ及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 岩瀬 正幸 |
| 发表日期 | 1998-02-20 |
| 专利号 | JP1998051078A |
| 著作权人 | 古河電気工業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザアレイ及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 製造に際し、プロセス制御が容易で、しかも光ファイバーとの光結合が容易な半導体レーザアレイ及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 本半導体レーザアレイ10は、サブマウント12と、サブマウント上にアレイ状に配置された複数個の半導体レーザ14とから構成されている。サブマウントは共通のp側電極16を上層に備え、各半導体レーザは共振器部18とn側電極20とが分離溝22により電気的に相互に分離され、かつp側電極がジャンクションダウン状態でサブマウントのp側電極上にボンディングされて電気的に接続され、相互に独立に動作する。アレイの周りは、光透過性が高く、透湿性の低い樹脂層24で包囲されており、その高さは半導体レーザと同じ高さである。樹脂層の一部を取り除いた領域に、p側電極が露出している。半導体レーザは、n-InP基板上のBH-LDとして構成され、寄生容量低減のための溝23を有し、n側電極20から信号用のリード線26が樹脂層24上に延在している。 |
| 公开日期 | 1998-02-20 |
| 申请日期 | 1996-08-06 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/51044]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 古河電気工業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 岩瀬 正幸. 半導体レーザアレイ及びその製造方法. JP1998051078A. 1998-02-20. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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