窒化物系半導体を用いた半導体素子
文献类型：专利
| 作者 | 藤本 英俊; 西尾 譲司; 杉浦 理砂 |
| 发表日期 | 1998-03-06 |
| 专利号 | JP1998065270A |
| 著作权人 | TOSHIBA CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 窒化物系半導体を用いた半導体素子 |
| 英文摘要 | 【課題】 基板と窒化物系半導体層との間には、格子定数の差異によって結晶欠陥が発生する。これは高温成長した緩衝層でも同じである。一方、低温成長した緩衝層を用いた場合にはその上に成長する結晶の成長軸にずれが生じ、高品質の単結晶を形成することができなかった。 【解決手段】 基板側に多結晶に近く、単結晶層側に単結晶に近い、かつその間を連続的あるいは段階的に変化する緩衝層を用いることにより、結晶欠陥密度が低く、結晶軸のそろった良質な単結晶を提供することができる。 |
| 公开日期 | 1998-03-06 |
| 申请日期 | 1996-08-13 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/51046]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | TOSHIBA CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 藤本 英俊,西尾 譲司,杉浦 理砂. 窒化物系半導体を用いた半導体素子. JP1998065270A. 1998-03-06. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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