II-VI族化合物半導体およびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 難波江 宏一 |
| 发表日期 | 1998-04-24 |
| 专利号 | JP1998107045A |
| 著作权人 | 日本電気株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | II-VI族化合物半導体およびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 長寿命で高出力の光デバイスが作製可能な均一で高品質な、GaAs基板上のII-VI族化合物半導体を提供する。 【解決手段】 III-V族化合物基板上に構成元素としてInを含むIII-V族化合物半導体層を積層し、その上にII-VI族化合物半導体層を成長させ、前記Inを含むIII-V族化合物半導体層の厚さを臨界膜厚以下にする。 |
| 公开日期 | 1998-04-24 |
| 申请日期 | 1996-09-26 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/51050]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電気株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 難波江 宏一. II-VI族化合物半導体およびその製造方法. JP1998107045A. 1998-04-24. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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