窒化ガリウム系化合物半導体の気相エッチング方法
文献类型：专利
| 作者 | 後藤 順; 赤松 正一; 河田 雅彦; 皆川 重量 |
| 发表日期 | 1998-04-24 |
| 专利号 | JP1998107006A |
| 著作权人 | HITACHI LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 窒化ガリウム系化合物半導体の気相エッチング方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 窒化ガリウム系化合物半導体を用いた半導体レーザを作製する場合、共振器を作製する行うエッチングには従来、プラズマを用いたドライエッチングが用いられて来たが、この方法ではエッチング表面の荒れが問題となっており、レーザの特性に悪影響を及ぼしていた。 【解決手段】 本発明では、窒化ガリウム系化合物半導体を水素と炭化水素ガスの混合ガス中で加熱する事によりエッチングを行う事を特徴とする新しいドライエッチング法を与える。 【効果】 本発明では化学的な反応を用いてエッチングを行う為、平滑で損傷の無いエッチング表面が得られ、レーザの特性を飛躍的に向上させた。 |
| 公开日期 | 1998-04-24 |
| 申请日期 | 1996-10-02 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/51052]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | HITACHI LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 後藤 順,赤松 正一,河田 雅彦,等. 窒化ガリウム系化合物半導体の気相エッチング方法. JP1998107006A. 1998-04-24. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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