レーザダイオード·モジュール
文献类型：专利
| 作者 | 中村 康弘 |
| 发表日期 | 1998-05-29 |
| 专利号 | JP1998144988A |
| 著作权人 | HITACHI LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | レーザダイオード·モジュール |
| 英文摘要 | 【課題】 レーザダイオード·モジュールの部品数およびコストの低減。 【解決手段】 熱伝導性が良好な材料からなるモジュール基板と、前記モジュール基板に放熱可能に固定されるレーザダイオードと、前記モジュール基板に固定されかつ前記レーザダイオードに高周波を重畳する回路を構成するハイブリッドICとを有し、前記ハイブリッドICのハイブリッドIC基板は前記モジュール基板に重なるように取り付けられてなるレーザダイオード·モジュールであって、前記モジュール基板にはカシメによって変形するピンが2本以上設けられているとともに、前記ハイブリッドIC基板には前記ピンが挿入される孔等によるガイドが設けられ、前記ハイブリッドIC基板は前記ハイブリッドIC基板の前記ガイドに挿入された前記ピンのカシメ変形によって前記モジュール基板に固定されている。 |
| 公开日期 | 1998-05-29 |
| 申请日期 | 1996-11-06 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/51056]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | HITACHI LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 中村 康弘. レーザダイオード·モジュール. JP1998144988A. 1998-05-29. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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