窒化ガリウム系半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 仁道 正明 |
| 发表日期 | 1998-07-31 |
| 专利号 | JP1998200213A |
| 著作权人 | NEC CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 窒化ガリウム系半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【課題】 窒化ガリウム系半導体レーザはサファイア、スピネル等の絶縁体基板上に形成されるためp電極、n電極は異なる高さで形成され2つの電極を制御性/再現性良くヒートシンクに融着することが困難であった。 【解決手段】 サファイア基板上に、n型コンタクト層、活性層、p型コンタクト層を順次含むダブルヘテロ構造結晶と、n電極とp電極とを含み、p型コンタクト層上のp電極が融着用金属を介してヒートシンクに融着され、p電極が形成されている部分と異なった部分のp型コンタクト層表面に第3の電極が形成され、かつ第3の電極がn型コンタクト層表面のn電極と導通している。さらに、ヒートシンクが高抵抗なヒートシンク基板と、ヒートシンク基板上に形成された第1の融着用金属と第2の融着用金属とを含み、かつ第1の融着用金属と第2の融着用金属とが電気的に絶縁されており、かつ第3の電極が第1の融着用金属を介して、p電極が前記第2の融着用金属を介してヒートシンク基板に融着されている。 |
| 公开日期 | 1998-07-31 |
| 申请日期 | 1997-01-14 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/51074]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | NEC CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 仁道 正明. 窒化ガリウム系半導体レーザ. JP1998200213A. 1998-07-31. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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