半導体レーザー及びそのTE·TM偏光モードのスイッチング方法
文献类型：专利
| 作者 | 渡邉 明佳; 菅 博文 |
| 发表日期 | 1998-08-11 |
| 专利号 | JP1998215036A |
| 著作权人 | 独立行政法人科学技術振興機構 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザー及びそのTE·TM偏光モードのスイッチング方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 半導体レーザー素子内でのTE·TM偏光のモード利得の切り替えを、半導体レーザー素子の歪み量の変化によって、容易に、しかも簡便に行うことができる半導体レーザー及びそのTE·TM偏光モードのスイッチング方法を提供する。 【解決手段】 ヒートシンクマウント材1と、このヒートシンクマウント材1上に搭載されるリッジ型半導体レーザー素子10と、このリッジ型半導体レーザー素子10に歪みを加える手段とを備え、前記半導体レーザー素子10に歪みを加え、前記半導体レーザー素子10のGaAs活性層15のバンド構造を変化させ、この半導体レーザー素子10内でのTE·TM偏光のモード利得の切り替えを、前記半導体レーザー素子10の歪み量の変化によって行うようにした。 |
| 公开日期 | 1998-08-11 |
| 申请日期 | 1997-01-31 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/51079]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 独立行政法人科学技術振興機構 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 渡邉 明佳,菅 博文. 半導体レーザー及びそのTE·TM偏光モードのスイッチング方法. JP1998215036A. 1998-08-11. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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